當前，多家存儲大廠釋出低迷信號，擴產規劃更是相繼放緩。TrendForce集邦咨詢預測，第三季度NAND閃存價格跌幅將擴大至8%~13%，且跌勢有可能延續至第四季度。明年上半年，NAND閃存價格或仍處于下跌狀態。

盡管已經感受到市場下行的寒風，存儲廠商在先進技術方面的競爭卻不見頹靡。日前，美光宣布推出全球首款232層NAND，比特密度比上一代176層NAND高出45%以上；三星電子預計將在今年內發布236層NAND閃存產品，還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND閃存產品的開發；SK海力士最近也完成了238層NAND產品的開發。在各家廠商你追我趕的比拼中，一場關于閃存的爭霸賽再次拉開帷幕。

當前，多家存儲大廠釋出低迷信號，擴產規劃更是相繼放緩。TrendForce集邦咨詢預測，第三季度NAND閃存價格跌幅將擴大至8%~13%，且跌勢有可能延續至第四季度。明年上半年，NAND閃存價格或仍處于下跌狀態。

盡管已經感受到市場下行的寒風，存儲廠商在先進技術方面的競爭卻不見頹靡。日前，美光宣布推出全球首款232層NAND，比特密度比上一代176層NAND高出45%以上；三星電子預計將在今年內發布236層NAND閃存產品，還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND閃存產品的開發；SK海力士最近也完成了238層NAND產品的開發。在各家廠商你追我趕的比拼中，一場關于閃存的爭霸賽再次拉開帷幕。

來源：中商產業研究院

從35年以前的“零”起步，NAND閃存如今的市場規模已經達到700億美元。在容量方面，NAND閃存已經從4Mb增加到1.33Tb實現了3.33萬倍的增長。從該指數增長的角度來看，在20世紀90年代，最大容量的閃存僅可以容納1/8張照片，時至今日，NAND的最大容量已發展到能夠存儲39000張照片。

2013年，韓國三星研發出V-NAND閃存技術又是一個新的里程碑。這是一種通過垂直堆疊3D空間中的穿孔連接其單元層的解決方案，不僅突破了NAND閃存只能使用二維結構的局限性，也讓NAND閃存從二維結構進化到三維結構，成為當前的主流技術之一。

在第一代（24層）V NAND閃存商業化之后，3D NAND閃存領域的技術進步速度極快，第二代（32層）、第三代（48層）、第四代（64/72層）、第五代（92/96層）、第六代（128層）、第七代（176層）技術紛紛涌現。在短短9年時間里，堆疊層數逐漸成為各大閃存企業的競爭焦點。

今年2月初，三星發布公告稱，將在2022年底或2023年上半年推出200層以上的3D NAND芯片，并在2023年上半年開始量產。預計三星第一款200層以上3D NAND芯片的層數將達到224層。

在大家都認為三星這個3D NAND閃存的締造者，將繼續引領技術潮流，甚至將3D NAND閃存帶入200+層新時代的時候，美光打了三星一個措手不及。7月26日，美國存儲芯片巨頭美光發表公告稱，原定于今年年底開始量產的全球首款232層3D NAND芯片，已經提前量產，預示著3D NAND芯片進入200+層時代。美光技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示：“美光的232層NAND芯片是存儲芯片創新性的分水嶺，也證明了現階段的技術具有將3D NAND芯片的層數擴展至200層以上的能力。”美光此舉可以說是后發制人，而且這也不是美光第一次這么做了。早在2022年1月，美光就早于三星率先發布了業內首款176層3D NAND芯片。

賽迪顧問集成電路中心高級分析師楊俊剛表示，美光一直是存儲器領域的領先者，在DRAM和NOR閃存領域一直擁有豐富的技術儲備和經驗，擁有成熟的制造產線和產能。美光在發展NAND閃存的過程中，也多方尋求合作，包括前后和爾必達、英特爾展開NAND閃存的合作，快速積累技術和經驗，為美光NAND閃存成功崛起奠定了基礎。

半導體行業專家池憲念向《中國電子報》記者指出：“美光此次技術突破，可降低其生產成本，并使美光擁有最先進閃存芯片的定價權，這會為其增加更多的利潤；另一方面，美光借此進一步提高了自己的技術門檻，拉開與其它廠商的差距，使其在存儲芯片市場上的競爭力和3D NAND 閃存市場份額得到進一步增加。”

在這個勢頭下，美光決心要搶占更多的市場份額。8月9日，存儲芯片制造企業美光宣布，將在10年內，分階段投資400億美元建設先進存儲芯片制造工廠，這也是美國存儲制造行業最大規模的一次投資。據了解，此次宣布的400億美元投資計劃，是其去年宣布的1500億美元全球投資方案中的一部分。美光方面表示，隨著汽車和數據中心等關鍵市場對內存的需求不斷增長，再加上人工智能和5G技術的加速應用，公司將根據行業需求趨勢，增加整體供應量。

層數之爭日趨白熱化

美光在閃存領域的技術突破，將3D NAND閃存技術提升至新高度。圍繞著更高的層數，各家閃存企業的競爭日趨白熱化。

8月3日，韓國知名存儲芯片廠商SK海力士宣布成功研發了業界最高層數的238層4D NAND閃存，并且在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會上亮相了首款新產品。SK海力士表示：“此次238層NAND 4D閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積。”

三星在NAND閃存市場也在不斷提速。日前，三星宣布將在今年內發布236層NAND閃存產品。另一邊，同樣來自韓國的SK海力士收購了英特爾位于中國大連工廠的NAND閃存業務。在這次收購之后，它的市場總份額達到全球第二，僅次于三星。顯而易見，兩大韓廠在市場份額方面占據了NAND閃存的半壁江山。美光想要沖破韓國雙雄這道銅墻鐵壁，仍有一條不短的路要走。

不過，比起韓國雙雄，美光在閃存領域也具備獨特優勢。北京半導體行業協會副秘書長朱晶對記者表示，“專注”與“聚焦”正是美光在NAND市場表現強勁的原因之一。美光果斷退出傲騰內存業務之后，一直專注于NAND市場，這個戰略無疑是明智之舉。相比之下，三星推出新品的速度沒有美光快，這可能是因為三星把不小的精力投入在了代工業務上，因而在存儲器市場“顧此失彼”。

值得注意的是，雖然閃存的層數越多，單位空間存儲密度就越大，總存儲容量越容易提升，但層數并不是決定閃存性能的唯一指標。創道投資咨詢總經理步日欣在接受《中國電子報》記者采訪時表示，3D NAND閃存堆疊技術在原理上可以理解為，通過堆疊方式，在更小的空間和面積中實現各大的存儲容量。但是各個廠商都有各自的技術架構和演進路線圖，彼此間不完全一致，各家都有自己的技術工藝特色。在低層級的時候，3D堆疊確實能夠顯著提升閃存的性能，但是隨著層數的增加，性能提升也會遭遇瓶頸，需要在技術、成本和性能之間尋找一個平衡。

“層數的領先并不能代表美光在閃存技術上已經超過了三星。”池憲念解釋道，業界衡量閃存產品的先進性，除了要看堆疊層數以外，還需要對接口速度、可靠性、隨機讀取性能、低能耗、增加每單元位數等方面指標進行對比。此外，業界還希望在生產過程中能夠實現低成本、低損耗。在堆疊層數落后的情況下，三星可以通過提高產品的實際性能來提升自身的競爭力。

“美光率先推出238層NAND，雖然對企業形象的提升起到一定作用，但很難說美光的技術就獨步天下。”美光資深工程師、盛海峰博士對記者表示，該技術對市場份額的影響并不大。盛海峰進一步解釋道，NAND領域有消費電子（手機電腦等）、云計算、數據中心及汽車電子等幾個市場，不同市場有不同要求。消費電子產品追求存儲量大和功耗小，但近年來，有云存儲讓相關市場對存儲量的追求幾乎走到盡頭，“512G”對大多數手機用戶來講應該是足夠的。三星作為手機和個人電腦的生產大戶，在市場份額方面具備得天獨厚的優勢。

放眼其他市場，云計算和數據中心的首要要求是耗電小，同時對可靠性的要求也高于消費電子。而對可靠性要求最高的市場是汽車電子。“汽車電子客戶的忠誠度也是最高的，因為認證一個新供應商的周期和成本很高。美光在汽車電子領域深耕多年，現在是吃到了紅利。”盛海峰對記者說。

層數高雖然不代表最先進，但確實也能夠證明美光的自身實力。TrendForce集邦咨詢分析師敖國鋒就認為，層數的確可能不代表技術最先進，但是唯有透過堆高層數，才有機會提升存儲的容量，在成本上才具有優勢。除了看層數之外，對閃存芯片的傳輸速度也是另一個關注的重點。目前看來，美光下一代產品的存儲速度看起來是相當快速，要看后續韓系廠商是否也可以推出類似高速度傳輸的產品。

三星領先地位暫時難以撼動

鎧俠與西部數據結成的同盟一樣不可小覷。近年來，雙方一直在加深合作，計劃于2024年之前推出200層以上的3D NAND芯片。鎧俠此前積累了大量的技術和專利，在技術研發方面一直保持著高速發展。不久前，鎧俠和西部聯合開發的NAND閃存堆疊層數達到162層。雖然，這一成果和美光、三星和SK海力士相繼推出的200多層NAND閃存技術相比有一定差距，但是鎧俠和西部數據通過高密度化和超多值化等新結構技術組合，同樣提高了閃存的密度并且降低了成本，它們的產品在市場中具備一定競爭力。

據報道，西部數據CEO David Goeckeler曾在采訪中表示，鎧俠是西部數據重要的合作伙伴，兩家企業加起來是全球最大的NAND供應商，市占率略高于三星。

在閃存市場中，三星還是公認的領先企業。鎧俠與西部數據的強強聯合，能否動搖目前閃存市場中三星的“領頭羊”地位？放眼未來3—5年的市場格局，朱晶認為，無論是在資金投入、地緣政治還是自身技術方面，鎧俠和西部數據都與三星、美光存在一定距離。在她看來，美光是對三星的存儲器霸主地位最有挑戰的一家公司。在相關政策的支持下，美光或許在產能擴充方面具備更大優勢，這會為其日后打“價格戰”奠定更好的基礎。

步日欣同樣認為三星在閃存領域的領先地位難以撼動。在步日欣看來，單純依賴各家略有差異化的技術路線，并不能形成非常強的競爭優勢，閃存相對穩定的市場格局很難在短時間內被打破。在市場格局層面，鎧俠和西數單純的業務合作，很難撼動三星的市場地位，即便是之前西部數據意圖收購鎧俠，資本層面的全面合并，也很難出現“1+1>2”的結果。而三星在NAND領域的產業鏈相對完善、技術也相對成熟，在NAND領域與其他企業合作的可能性不是很大。

由此可見，截至目前，整個閃存市場的格局還是由三星、美光、SK海力士、鎧俠和西部數據這五家領先企業為主導，同時三星的領先地位暫時難以撼動。相信未來這個格局還將持續一段時間。

值得一提的是，NAND閃存堆疊越來越高能代表的是技術演講的演進變化，客戶在購買閃存芯片產品時，最關注的還是閃存的讀寫速度，因此讀寫的速度提升在目前的數據時代將扮演著更為重要的角色。

與此同時，傳輸速率也是備受消費者關注的一個因素。傳輸速率可以對終端產品帶來更快的反應，還能更加節約消費者的時間。當前主流的方式還是通過提高堆疊層數來提升NAND閃存的性能，但是隨著后摩爾時代的來臨，先進封裝在提升產品性能中的表現愈發優異，硅通孔技術也將更多應用在NAND閃存領域。隨著各項技術不斷成熟，FeRAM、MRAM、PCM等新型非易失性存儲器將迎來快速發展。未來，非易失性存儲可能有機會取代當前火熱的NAND閃存技術。